Колишній генеральний директор Intel Пат Гелсінгер підтримав нову технологію оперативної пам’яті Z2RAM, яка має потенціал вирішити глобальну кризу на ринку чипів.
Ринок оперативної пам’яті та накопичувачів переживає серйозні труднощі, що призводить до зростання цін на електроніку. Виробники, такі як Samsung та SK Hynix, не очікують покращення ситуації найближчим часом. В цьому контексті стартап Nagare Labs, заснований науковцями з Технологічного інституту Джорджії, залучив $5 млн інвестицій від венчурного фонду Playground Global, де Гелсінгер є партнером.
Що таке Z2RAM
Z2RAM поєднує переваги трьох типів пам’яті:
- швидкість SRAM (використовується в кеш-пам’яті процесорів);
- щільність DRAM (системна оперативна пам’ять);
- масштабованість NAND Flash (SSD-накопичувачі).
На відміну від традиційної DRAM, Z2RAM використовує два транзистори для зберігання одного біта інформації, що дозволяє уникнути використання конденсатора та робить зчитування даних «неруйнівним». Nagare Labs обіцяє збільшити щільність збереження даних у 5 разів, що дозволить на площі 64 МБ SRAM вмістити до 320 МБ Z2RAM.
Цільовий ринок та виклики
Основним ринком для Z2RAM є штучний інтелект, де обсяги пам’яті є критичними. Використання Z2RAM може зменшити кількість чипів для обробки великих мовних моделей у 5 разів.
Проте технологія ще на стадії лабораторних прототипів. Основні виклики включають:
- надійність оксидних напівпровідників;
- відсутність єдиного стандарту для інтеграції;
- пошук виробничих потужностей.
Перші робочі зразки планують створити за 4 роки, а масове виробництво може розпочатися через 10 років, тому Z2RAM не вирішить поточний дефіцит оперативної пам’яті найближчим часом.
Джерело: dev.ua (https://dev.ua/news/eksprezydent-intel-pat-helsinher-investuie-u-proryvnu-tekhnolohiiu-ram-1793364874)